深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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公司动态

晶体管SI2301CDS-T1-GE3原装热卖!

    制造商Vishay Siliconix

    制造商零件编号SI2301CDS-T1-GE3

    描述MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

    对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)

    原厂标准交货期14 周

    详细描述表面贴装型-P-通道-20V-3.1A(Tc)-860mW(Ta)-1.6W(Tc)-SOT-23-3(TO-236)

    标准包装  3,000

    包装  标准卷带  

    零件状态有源

    类别分立半导体产品

    产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单

    系列TrenchFET®

    其它名称SI2301CDS-T1-GE3TR

    SI2301CDST1GE3

    规格

    FET 类型P 通道

    技术MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)20V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3.1A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)112 毫欧 @ 2.8A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)10nC @ 4.5V

    Vgs(最大值)±8V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)405pF @ 10V

    FET 功能-

    功率耗散(最大值)860mW(Ta),1.6W(Tc)

    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型表面贴装型

    供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

    封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    优势供应:

    M51450G

    EL7536IYZ

    EL7536IYZ-T7

    SI2301CDS-T1-GE3

    EL7536IYZ(BFAAA)

    SN74AHC1G14DBVR

    SI2301CDS-T1-GE3

    SD1169

    SRFE1169

    AD620AN

    24LC641

    MRFA1600

    MRA1600-6

    MRF1600-2

    PH1600-30

    MRA1600-2

    PH1600-32

    PH1600-1.5

    MRA1600-30

    PH1600-6.5

    S08K31

    LVC16245A

    LVC16244A

    UF2010R

    TA7201S

    MRF136Y

    ST9917

    ATF10136

    SI2301CDS-T1-GE3

    M2557BM

    PA7674

    MGF1601

    D1217UK

    P9030MB

    MRF9030S

    MRF9030GR1

    MRF9030MR1

    MRF9030MBR1

    MRF9030GNR1


[发布时间:2020/1/6 11:21:00]

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